Visi iš stiprintuvo vienetų yra svarbūs, bet jums tikrai nereikia nagrinėti kiekvieną suprasti, kaip stiprintuvu darbai. Yra tik keli elementai, kurie yra itin svarbūs stiprintuvo veikimą. Kitame skyriuje mes pamatyti, kaip šie elementai susirinks labai pagrindinio stiprintuvo dizainas.
Elektroninės elementai
komponentas, daugumos stiprintuvų širdis tranzistorius. Pagrindiniai elementai tranzistorius yra puslaidininkiai, medžiagos su įvairaus gebėjimą vykdyti elektros srovę. Paprastai, puslaidininkių yra pagamintas iš prastos laidininko, tokių kaip silicio, kad turėjo priemaišų (atomus iš kitos medžiagos) pridedama prie jo. Pridėjimo priemaišų procesas vadinamas dopingu.
gryno silicio, visi silicio atomai obligacijų puikiai savo kaimynais, nepalikdamas jokių laisvųjų elektronų atlikti elektros srovę. Be legiruoto silicio, papildomi atomai pakeisti pusiausvyrą, arba pridedant laisvųjų elektronų arba sukurti skyles, kur elektronai gali eiti. Elektros krūvį juda, kai elektronai juda iš skylę skylė, todėl nei vienas iš šių papildymų leis medžiaga daugiau laidus. (Žr Kaip puslaidininkiai darbą pilną paaiškinimą.)
n tipo puslaidininkių pasižymi papildomų elektronų (kurie turi neigiamą krūvį). P-tipo puslaidininkiai turi papildomų skylių (kurie turi teigiamą krūvį) gausa.
Pažvelkime stiprintuvo pastatytas aplink pagrindinę bipolinis-sandūros tranzistorius. Šis tranzistorius rūšiuoti susideda iš trijų sluoksnių puslaidininkių - šiuo atveju, p-tipo puslaidininkių įterptas tarp dviejų n-tipo puslaidininkiai. Ši struktūra yra geriausiai atstovavo bare, kaip parodyta toliau pateiktoje schemoje (faktinis dizainas modernių tranzistorių yra šiek tiek skiriasi).
Pirmasis N-tipo sluoksnis yra vadinamas spinduolis, P-tipo sluoksnis yra vadinamas pagrindas ir antrasis n-tipo sluoksnis yra vadinamas kolektorius. Išėjimo grandinės (grandinės, kad varo garsiakalbį) yra prijungtas prie elektrodų tuo tranzistorius anketa skleidėjo surinkėjas. Įvesties grandinė prisijungia prie emiterio ir bazės.
laisvųjų elektronų į n tipo sluoksnių natūraliai nori užpildyti į p-tipo sluoksnio skyles. Yra daug daugiau laisvųjų elektronų nei skylių, todėl skyles užpildyti labai greitai. Tai sukuria išeikvojimo zonas bent tarp n tipo medžiagos ir p-tipo medžiagos ribas. Be ardymo zonoje, puslaidininkių medžiagos yra grąžinamas į pradinę izoliacijos būklę - visos skylės yra užpildyta, todėl nėra l
